FAQ

• (Polski) Jakiego typu materiały można osadzać przy wykorzystaniu reaktora SI 500 D?

  (Polski)

  Układ podawania gazów składa się z 5 linii (opcjonalnie dodatkowe linie gazowe) wyposażonych w filtry i kontrolery przepływu. Łatwe w obsłudze oprogramowanie umożliwia automatyczne i ręczne sterowanie procesami oraz tworzenie i wykonywanie własnych procedur technologicznych. Urządzenie może być skonfigurowane do osadzania SiO2, SiNx, SiOxNy, oraz warstw a-Si. Możliwe jest również osadzanie innych związków krzemu, w tym SiC, oraz warstw diamentopodobnych (tj. DLC). Temperatura podłoża w trakcie procesów jest regulowana w zakresie od temperatury pokojowej do 400 °C. Duża gęstość niskoenergetycznych jonów generowana ze źródła ICP w połączeniu z jednorodnym rozkładem temperatury podłoża zapewnioną przez tzw. He-backside cooling, pozwala osadzać warstwy o wysokiej jakości nawet w temperaturach od 80 °C do 130 °C.

• (Polski) Jakie rozmiary i kształt powinna mieć próbka?

  (Polski)

  Możliwość osadzania na podłożach o rozmiarach do 8 cali oraz, przy wykorzystaniu specjalnych uchwytów, na fragmentach podłoży, w tym fragmentach o nieregularnych kształtach.

• (Polski) Czy pomieszczenie, w którym będzie zainstalowane urządzenie, musi spełniać szczególne wymagania?

  (Polski)

  Dla wygody pracy z urządzeniem min. wymiary pomieszczenia to 3 x 4 m. Dodatkowo powinno zostać przewidziane miejsce na pomieszczenie techniczne na pompy próżniowe, skrzynki gazowe itd.. Niezbędne będą instalacje gazowe (gazy procesowe i techniczne) oraz instalacja wodna. W pomieszczeniu muszą znaleźć się wyciągi w suficie/ścianie, do odprowadzenia gazów procesowych.