Labsoft

Mikroskopia
Optyczna

Pełna oferta dla laboratoriów przemysłowych i badawczych obejmująca mikroskopy stereoskopowe, cyfrowe, złożone i konfokalne oraz kamery i oprogramowanie

Mikroskopia Optyczna

MIKROSKOPIA
SIŁ ATOMOWYCH
I PROFILOMETRIA

Mikroskopy AFM i SPM, szeroki wybór trybów pracy i sond AFM, profilometry optyczne i stykowe

Mikroskopia AFM

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA
TEM, STEM, SEM, DB

Kompletna oferta mikroskopów EM i wyposażenia analitycznego EDS, WDS, EBSP, oraz techniki kriogeniczne, litografia, mikromanipulatory, instrumenty i materiały do preparatyki próbek

Mikroskopia Elektronowa

SERWIS
I WSPARCIE

Specjalistyczny serwis techniczny i obsługa oferowanego sprzętu, szkolenia użytkowników i wsparcie aplikacyjne

Serwis techniczny

WYTWARZANIE
WARSTW, BADANIE POWIERZCHNI

Reaktory RIE, CVD, ALD i MBE do modyfikowania powierzchni i nakładania warstw oraz tribometry, scratch testery, elipsometry i twardościomierze do badania ich właściwości

Badanie warstw

Reaktor SI 500 D

Sentech

System SI 500 D firmy SENTECH Instruments GmbH służy do wspomaganego plazmą chemicznego osadzania warstw z fazy gazowej (PECVD) i jest dedykowany do laboratoriów badawczych oraz przemysłowych, również na etapie produkcji pilotażowej. Reaktor umożliwia osadzanie warstw z prekursorów ciekłych i gazowych na podłożach o średnicy do 200 mm. Plazma generowana jest indukcyjnie (ICP) w opatentowanym źródle PTSA z wykorzystaniem generatora RF o mocy 1200 W. Komora reakcyjna wykonana jest z aluminium bez połączeń spawanych i skręcanych. Podłoża wprowadzane są przez komorę ładowania, wyposażoną w transfer.

formularz kontaktowy

Inne techniki depozycji: ALDMBE, MOCVD

FAQ

  • Jakiego typu materiały można osadzać przy wykorzystaniu reaktora SI 500 D?

    Układ podawania gazów składa się z 5 linii (opcjonalnie dodatkowe linie gazowe) wyposażonych w filtry i kontrolery przepływu. Łatwe w obsłudze oprogramowanie umożliwia automatyczne i ręczne sterowanie procesami oraz tworzenie i wykonywanie własnych procedur technologicznych.
    Urządzenie może być skonfigurowane do osadzania SiO2, SiNx, SiOxNy, oraz warstw a-Si. Możliwe jest również osadzanie innych związków krzemu, w tym SiC, oraz warstw diamentopodobnych (tj. DLC). Temperatura podłoża w trakcie procesów jest regulowana w zakresie od temperatury pokojowej do 400 °C. Duża gęstość niskoenergetycznych jonów generowana ze źródła ICP w połączeniu z jednorodnym rozkładem temperatury podłoża zapewnioną przez tzw. He-backside cooling, pozwala osadzać warstwy o wysokiej jakości nawet w temperaturach od 80 °C do 130 °C.

  • Jakie rozmiary i kształt powinna mieć próbka?

    Możliwość osadzania na podłożach o rozmiarach do 8 cali oraz, przy wykorzystaniu specjalnych uchwytów, na fragmentach podłoży, w tym fragmentach o nieregularnych kształtach.

  • Czy pomieszczenie, w którym będzie zainstalowane urządzenie, musi spełniać szczególne wymagania?

    Dla wygody pracy z urządzeniem min. wymiary pomieszczenia to 3 x 4 m. Dodatkowo powinno zostać przewidziane miejsce na pomieszczenie techniczne na pompy próżniowe, skrzynki gazowe itd.. Niezbędne będą instalacje gazowe (gazy procesowe i techniczne) oraz instalacja wodna. W pomieszczeniu muszą znaleźć się wyciągi w suficie/ścianie, do odprowadzenia gazów procesowych.

Oferta

  • bruker
  • cryometal
  • edax
  • fei
  • hwi
  • icdd
  • kleindiek
  • leica
  • phi
  • sentech
  • sios
  • spi
  • table
  • veeco