Labsoft

Mikroskopia
Optyczna

Pełna oferta dla laboratoriów przemysłowych i badawczych obejmująca mikroskopy stereoskopowe, cyfrowe, złożone i konfokalne oraz kamery i oprogramowanie

Mikroskopia Optyczna

MIKROSKOPIA
SIŁ ATOMOWYCH
I PROFILOMETRIA

Mikroskopy AFM i SPM, szeroki wybór trybów pracy i sond AFM, profilometry optyczne i stykowe

Mikroskopia AFM

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA
TEM, STEM, SEM, DB

Kompletna oferta mikroskopów EM i wyposażenia analitycznego EDS, WDS, EBSP, oraz techniki kriogeniczne, litografia, mikromanipulatory, instrumenty i materiały do preparatyki próbek

Mikroskopia Elektronowa

SERWIS
I WSPARCIE

Specjalistyczny serwis techniczny i obsługa oferowanego sprzętu, szkolenia użytkowników i wsparcie aplikacyjne

Serwis techniczny

WYTWARZANIE
WARSTW, BADANIE POWIERZCHNI

Reaktory RIE, CVD, ALD i MBE do modyfikowania powierzchni i nakładania warstw oraz tribometry, scratch testery, elipsometry i twardościomierze do badania ich właściwości

Badanie warstw

Technika ALD

Sentech

Reaktory SI ALD firmy Sentech Instruments służą do osadzania cienkich warstw techniką Atomic Layer Deposition (ALD). Reaktory te są przeznaczone do laboratoriów akademickich oraz do produkcji niskoskalowej. W trakcie procesu ALD, w wyniku kontrolowanego, sekwencyjnego wprowadzania do komory reakcyjnej prekursorów w fazie gazowej, które kolejno ulegają chemisorpcji na podłożu, tworzona jest warstwa idealnie odwzorująca geometrię podłoża. W ten sposób można uzyskać konformalne warstwy m.in. tlenkowe, azotkowe oraz metaliczne. Do aktywacji prekursorów dochodzi w sposób konwencjonalny (tj. termiczny) oraz ze wspomaganiem plazmą (PEALD).

formularz kontaktowy

Inne techniki depozycji: (PE)CVD – Depolab 200SI 500 D i SI 500 PPD, MBE, MOCVD

Produkty powiązane: XPS

FAQ

  • Jakiego typu materiały można osadzać przy wykorzystaniu urządzenia ALD?

    Konfiguracja może zawierać:

      • do 6 linii prekursorowych (np. Al, Si, Ti, Hf, Zn, woda)
      • do 7 linii gazowych dla PEALD (np. N2, O2, NH3, H2)
      • System w tej postaci umożliwia osadzanie:

          • tlenków (Al2O3, TiO2, ZnO, HfO2, SiO2…)
          • azotków (AlN, TiN, SiN…)
          • metali tj. Pt, Ag, Cu
          • osadzanie struktur wielowarstwowych
          • osadzanie warstw jednorodnych/ciągłych i konformalnych na podłożach (od fragmentów do podłoży 8”) różnego typu i o różnych kształtach, w tym elementach 3D
  • Jakie modele są dostępne?

    Dostępne są modele:

      • SI ALD (próbka ładowana bezpośrednio do komory reakcyjnej)
      • SI ALD LL (ze komorą załadowczą)
      • SIPAR (jednokomorowy reaktor do ALD i PECVD z plazmą ICP)
      • Reaktor umożliwia aktywację prekursorów w sposób konwencjonalny (tj. termiczny) oraz ze wspomaganiem plazmą (PEALD). Reaktory można doposażyć w źródło plazmy typu CCP umożliwiające prowadzenie procesu ALD w niskich temperaturach podłoża, komorę rękawicową oraz optyczny układ kontroli in-situ procesu. Ponadto, reaktory ALD można zestawić w postaci klastra z reaktorami RIE, i PECVD.

  • Jakie rozmiary i kształt powinna mieć próbka?

    Istnieje możliwość osadzania na podłożach o rozmiarach 4, 6, 8 cali oraz, przy wykorzystaniu specjalnych uchwytów, na podłożach mniejszych tj. 1 lub 2 cali i próbkach małych, o nieregularnych kształtach.

  • Jakie są gabaryty urządzenia wraz z niezbędnymi elementami pomocniczymi?

    Wymiary przybliżone (W x D x H) w cm: Komora procesowa 68,0 x 128,0 (bez load lock) x 184,0 Skrzynka zasilania 50,0 x 30,0 x 50,0 Pompy próżniowe 39,0 x 83,0 x 87,5 (komora procesowa); 19,0 x 52,0 x 27,0 (load lock) PC 35,0 x 40,0 x 10,0 Monitor 23” 55,0 x 20,0 x 50,0

  • Czy pomieszczenie, w którym będzie zainstalowane urządzenie, musi spełniać szczególne wymagania?

    Dla wygody pracy z urządzeniem min. wymiary pomieszczenia to 3 x 4 m. Dodatkowo powinno zostać przewidziane miejsce na pomieszczenie techniczne na pompy próżniowe, skrzynki gazowe itd..  Niezbędne będą instalacje gazowe (gazy procesowe i techniczne) oraz instalacja wodna. W pomieszczeniu muszą znaleźć się wyciągi w suficie/ścianie, do odprowadzenia gazów procesowych.

Oferta

  • bruker
  • cryometal
  • edax
  • ThermoFisher Scientific
  • hwi
  • icdd
  • kleindiek
  • leica
  • phi
  • sentech
  • sios
  • spi
  • table
  • veeco