FAQ

• (Polski) Jakiego typu materiały można trawić przy wykorzystaniu reaktora SI 500?

  (Polski)

  Układ podawania gazów składa się z 4 linii (opcjonalnie więcej linii oraz dodatkowe skrzynki gazowe), wyposażonych w filtry i kontrolery przepływu. Urządzenie może być skonfigurowane do trawienia związków półprzewodnikowych z grupy III-V (GaAs, GaSb, InP, GaN, InSb, InGaAs), związków MCT, dielektryków, kwarcu, szkła, krzemu, związków krzemu (SiC, SiGe), oraz metali.

• (Polski) Jakie rozmiary i kształt powinna mieć próbka?

  (Polski)

  Możliwość osadzania na podłożach o rozmiarach 8 cali oraz, przy wykorzystaniu specjalnych uchwytów, na podłożach mniejszych tj. 3, 4 oraz 6 cali i próbkach małych, o nieregularnych kształtach.

• (Polski) Jakie modele są dostępne?

  (Polski)

  Dostępnych jest kilka modeli, które różnią się sposobem generacji plazmy, rozmiarem akceptowanych podłoży oraz dostępnością chłodzenia podłoży ciekłym azotem. Reaktory RIE można zestawić w postaci klastra.

  Modele:

  • SI 500 (ICP, 200 mm, -20 – 300 °C)
  • SI 500 C (ICP, ciekły N2, 200 mm, -150 – 400 °C)
  • SI 500-300 (ICP, 300 mm, -30 – 80 °C)
  • SI 500 RIE (CCP, 200 mm, -30 – 250 °C)

• (Polski) Czy pomieszczenie, w którym będzie zainstalowane urządzenie, musi spełniać szczególne wymagania?

  (Polski)

  Dla wygody pracy z urządzeniem min. wymiary pomieszczenia to 3 x 4 m. Dodatkowo powinno zostać przewidziane miejsce na pomieszczenie techniczne na pompy próżniowe, skrzynki gazowe itd..  Niezbędne będą instalacje gazowe (gazy procesowe i techniczne) oraz instalacja wodna. W pomieszczeniu muszą znaleźć się wyciągi w suficie/ścianie, do odprowadzenia gazów procesowych.