Szanowni Państwo,

W dniu 14 maja (czwartek) 2020 o godz. 17.00 firma Physical Electronics (PHI) organizuje webinarium pt.

TOF-SIMS 101: Introduction, Ion Beams, MS/MS, and Materials Applications

Udział w webinarium jest bezpłatny. Dodatkowe informacje w języku angielskim oraz link rejestracyjny znajdują się tutaj.

Prezentacja będzie poświęcona podstawom fizycznym i sprzętowym, możliwościom i zastosowaniu spektrometrii masowej z czasem przelotu (TOF-SIMS). Technika TOF-SIMS dostarcza informacji o składzie pierwiastkowym i chemicznym z bardzo wysoką czułością z powierzchni próbki, a po zastosowaniu dział rozpylających również z kilkudziesięciu mikrometrów w głąb. W szczególności, zostaną omówione:

• wiązki jonowe wykorzystywane w tej technice, tj. wiązki analityczne (Bi_n^q+, Au_n^q+, C₆₀^q+, Ga⁺), wiązki do rozpylania (O₂⁺, Cs⁺, Ar⁺, klastrowe Ar₂₅₀₀⁺) i do odkrywania objętości próbki (Ga⁺ FIB),
• mapowanie składu powierzchni z  rozdzielczością <70 nm,
• detekcja tandemowa MS/MS (=MS²) znacznie ułatwiająca identyfikację molekularną.

Physical Electronics (PHI) to wiodący producent spektrometrów XPS, AES i TOF-SIMS do analizy powierzchni próbki.

Wszystkie prezentacje i webinary PHI można znaleźć na kanale YT. Obecnie dostępne są następujące pozycje.

XPS/HAXPES:

• Scanning X-ray Imaging (SXI) – obrazowanie SXI elektronami wtórnymi wzbudzonymi przez promieniowanie rentgenowskie oraz jego zastosowanie do spektroskopii XPS/AES
• Determining Bulk & Interface Chemical Damage Regimes in XPS Depth Profiling using Cluster Ion Beams – profilowanie XPS z wykorzystaniem dział Ar, C60 i klastrowego Ar; ocena zakresu zastosowań
• PHI Quantes: XPS/HAXPES Scanning Microprobe – wprowadzenie do twardej spektrometrii fotoelektronów (HAXPES); spektrometr PHI Quantes z automatyczną, podwójną katodą Al/Cr do XPS i HAXPES
• XPS Analysis of Multilayer Films Using Hard and Soft X-Rays on the PHI Quantes – zastosowanie XPS i HAXPES do analizy multiwarstw; spektrometr PHI Quantes
• Ion Gun Options & Capabilities on Physical Electronics XPS Systems – dobór dział jonowych do profilowania wgłębnego i czyszczenia powierzchni; spektrometr Versa Probe
• Avoiding misinterpretations in the spectroscopic analysis of heterogeneous materials: the role of small area XPS analysis – zalety aplikacyjne spektrometrów ze skanującym źródłem rentgenowskim;

ToF-SIMS:

• Applications of TOF-SIMS Tandem MS in Industrial Applications – zastosowanie tandemowej spektrometrii mas ToF-SIMS (MS/MS) w przemyśle
• Applications of TOF-SIMS MS/MS for Industrial Problem Solving – zastosowanie tandemowej spektrometrii mas ToF-SIMS (MS/MS) do rozwiązywania problemów w przemyśle, spektrometr nanoTOF
• A New Method to Probe the Composition of Cellular Organelles using Tandem MS – spektrometria masowa ToF-SIMS MS/MS do analizy organelli komórkowych, spektrometr nanoTOF

AES:

• PHI 710 Multi-Technique Scanning Auger Nanoprobe for Advanced Materials Characterization – webinarium poświęcone spektrometrowi elektronów AES PHI710 i technice AES
• Auger Electron Spectroscopy Analysis of Fresh and Aged Alumina Supported Silver Catalysts – zastosowanie techniki AES do analizy materiałów katalitycznych; spektrometr PHI 710
• Auger Multi-Technique – EDS, EBSD, BSE & FIB – spektrometr AES PHI 710 wraz z technikami dodatkowymi EDS, EBSD, BSE i działem FIB

Techniki komplementarne:

• Surface Analysis on Insulators – analiza próbek o niskim przewodnictwie elektronowym z wykorzystaniem technik XPS, AES i ToF-SIMS
• Complementary XPS & TOF-SIMS Analysis – komplementarne badania technikami XPS i ToF-SIMS
• Characterizing Natural Photonic Crystals in Damselfly Wings using 3D TOF-SIMS & XPS – zastosowanie XPS i ToF-SIMS do analizy naturalnych kryształów fotonicznych

Właściwości elektronowe:

• LEIPS, REELS & UPS Presentation – wprowadzenie do technik LEIPS, REELS i UPS; spektrometr VersaProbe
• Electronic Band Structure Characterization using LEIPS & UPS on MultiTechnique XPS – wykorzystanie LEIPS i UPS do wyznaczania właściwości elektronowych; spektrometr VersaProbe